理由:开关管工作时容易干扰到背部的芯片,造成系统不稳定,其它高频器件同理 60.输出的dc线在pcb设计时,要设计成长短一至,焊盘孔间隔要小。 理由:sr的尾部留长是一样长的,当两个焊盘孔间隔太远时,会造成不方便生产焊接 61.mos管、变压器远离ac端,---emi传导。 理由:高频信号会通过ac端耦合出去,120w充电器加工,从而噪声源被emi设备检测到引起emi问题 62.驱动电阻应靠近mos管。 理由:增加抗干扰能力,提升系统稳定性
即让某引线从别的电阻、电容、三极管脚下的空隙处“钻”过去,或从可能交叉的某条引线的一端“绕”过去,在特殊情况下如何电路很复杂,为简化设计也允许用导线跨接,解决交叉电路问题。因采用单面板,直插元件位于top面,表贴器件位于bottom面,所以在布局的时候直插器件可与表贴器件交叠,但要避免焊盘重叠。3.输入地与输出地本开关电源中为低压的dc-dc,欲将输出电压反馈回变压器的初级,两边的电路应有共同的参考地,所以在对两边的地线分别铺铜之后,还要连接在一起,形成共同的地五、检查布线设计完成后,需认真检查布线设计是否符合设计者所制定的规则,
有的时候只差2、3db的时候换一个不同品牌会有---。 emi---技巧之二 40.vcc上的整流二极管,河源120w充电器,这个对辐射影响也是很大的。 一个惨痛案例,一款过了emi的产品,余量都有4db以上,量产很多次了,其中有一次量产抽检emi发现辐射超1db左右,---率有50%,120w充电器生产,经过层层---、一个个元件对换。终发现是vcc上的整流二极管引发的问题,120w充电器批发,更换之前的管子(留低样品),余量有4db。对---管子分析,发现管子内部供应商做了镜像处理。
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